乘國企改革之風

   2022年是國企改革三年行動計劃的收官之年，高新區國企黨工委在2月22日的國企改革專題會議上強調，2022年是決戰決勝國企改革三年行動的收官之年，要確保行動全面勝利收官；國企借助資產整合或可實現轉型，要注重向低碳化、科技化的方向發展，貫徹碳中和的戰略，提升自主創新能力，增強國有資本在這些領域的控制力與影響力。

戰略轉型謀“芯”篇

高新發展正在加快重塑高科技主營業務架構，立足成都高新區電子信息支柱產業，建立充分競爭具備硬核技術的新主業，通過內生發展和上市公司并購等多種手段快速做大做強，爭取在某一細分領域發展成為具有領先地位和強大影響力的優質上市公司，更好回報廣大中小股東。2022年，高新發展并購整合功率半導體企業成都森未科技有限公司（以下簡稱“森未科技”）和成都高投芯未半導體有限公司（以下簡稱“芯未半導體”），由此正式進入功率半導體行業，建立并逐步提升自身科技核心競爭力。

森未科技專注功率半導體器件研發，對標全球IGBT龍頭英飛凌的同類芯片產品，產業化10年以上，現已具備較強的功率半導體設計及研發能力。其深耕IGBT芯片技術與應用，器件產品全面采用溝槽柵+場截止技術，覆蓋600-1700V以及低、中、高頻應用領域，已成功開發不同電壓等級和應用場景的芯片超過100款，累計取得相關技術專利40多項。森未科技是國內產品線覆蓋最廣的IGBT功率半導體公司之一，其產品已進入工業變頻、感應加熱、特種電源、新能源發電及儲能市場，后續將重點推進其產品在電動汽車等領域的應用。其核心技術團隊由清華大學和中國科學院的博士組成，在功率半導體專業領域的經驗累積均超過15年；專職研發人員占比已超過40%。

芯未半導體是森未科技打造Fab-lite模式的重要載體，重點建設功率半導體器件局域工藝線和高可靠分立器件集成組件生產線，特別注重超薄晶圓和高能注入等特色工藝研發攻關，以打造IGBT產品核心競爭力重要工藝支撐。森未科技經過多年的技術累計，已充分掌握上述超薄晶圓和高能注入等特色工藝所需的核心技術，其聯合芯未半導體的發展，將讓森未科技經營模式從Fabless轉變為Fab-lite，兼具IGBT芯片設計、封裝、生產能力。

功率半導體賽道揚帆創變

半導體行業是現代信息技術產業的基礎，在推動國家經濟發展、社會進步、保障國家安全等方面具有戰略性作用。功率半導體是半導體行業的重要組成部分，在國家經濟轉型以及形成國家核心技術能力方面有著舉足輕重的作用。國家已出臺系列政策支撐半導體產業發展及國民經濟發展，以IGBT為代表的功率半導體行業市場迎來了廣闊的發展前景。

近年來，在電動車、光伏風電、變頻家電等下游需求拉動下，功率半導體IGBT行業保持快速增長態勢。功率半導體行業受新能源行業增長帶動，市場規模持續增長，但中高端IGBT市場長期受進口品牌壟斷，國際巨頭企業占有率極高。作為新能源汽車、新能源發電及儲能、工控等領域不可或缺的元器件，IGBT的國產化需求明確。

根據Omdia統計，預計2024年，功率半導體全球市場規模將達到538億美元；中國作為全球最大的功率半導體消費國，預計2024年市場規模達到197億美元，占全球比重為36.6%。

并購森未科技和芯未半導體后，高新發展將同時具備功率半導體IGBT的研發和設計能力。借助森未科技在功率半導體領域的技術實力，高新發展將實現高科技轉型突破，主營業務將從傳統產業逐步轉變為具有高技術門檻、高盈利水平、高資產質量特征的高科技產業，并實現向高新技術企業的徹底轉型。

選優賽道深耕行業，揚帆功率半導體賽道。高新發展將以此為路徑繼續深化國企改革，推進產業升級，深入踐行上市公司高質量發展。